新一代高功率密度磁集成电源芯片

为什么要做新一代高功率密度磁集成电源芯片

       过去几十年电子产业的爆炸性发展，电源产品已经从早期第一代的分立方案，发展到第二代芯片集成方案。随着市场对电源产品高效率，高功率密度的要求不断提高，而同时芯片制程提升的成本和难度指数上升，第三代系统集成方案是电源产品发展的必然趋势。沃芯半导体本着“让电源设计变得更简单”的宗旨，推出了高度集成化的电源产品——新一代高功率密度磁集成电源芯片。

新一代高功率密度磁集成电源芯片的技术特点

1）BCD工艺

       BCD工艺是一种晶圆级集成工艺，其特点是在同一晶圆集成Bipolar，CMOS和DMOS三种类型的晶体管。因此，BCD工艺实现了控制器件、驱动器件、功率器件的高密度集成，在显著缩小电源芯片尺寸的基础上，大幅提升了电源芯片的功率密度和控制精度。

2）3D Fan-out封装

       3D Fan-out封装结合了3D封装的高集成度和Fan-out封装的应用友好两大优势。通过开发垂直堆叠结构最小化芯片占板面积，为电源应用增加更大灵活性；采用先进封装工艺实现系统化集成，进一步提升电源芯片功能完整性。

3）先进的磁性器件

新一代高功率密度磁集成电源芯片优势

       新一代高功率密度磁集成电源芯片在先进BCD制程和3D Fan-out封装的基础上，以多场景电源应用需求为导向，从磁性材料原理出发定制研发磁性器件，全方面优化系统级磁集成电源芯片性能，实现超高的功率密度，超高的可靠性以及超简易终端电路设计，践行“让电源设计更简单”的公司愿景。

采用沃芯半导体的新一代高功率密度磁集成电源芯片，系统工程师不用再分出精力考虑如何解决电源的设计及其他与电源相关的问题，只需要按照数据手册的指导，完成简单的电气连接即可。